優(yōu)尼克統(tǒng)計(jì)GB/T2423內(nèi)所有標(biāo)準(zhǔn)：

1 GB/T 2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫
  2 GB/T 2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫
  3 GB/T 2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
  4 GB/T 2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db:交變濕熱試驗(yàn)方法
  5 GB/T 2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則:沖擊
  6 GB/T 2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則：碰撞
  7 GB/T 2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒（主要用于設(shè)備型樣品）
  8 GB/T 2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ed:自由跌落
  9 GB/T 2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cb:設(shè)備用恒定濕熱
  10 GB/T 2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則:振動(dòng)（正弦）
  11 GB/T 2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fd:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求
  12 GB/T 2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fda:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性
  13 GB/T 2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fdb:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)中再現(xiàn)性
  14 GB/T 2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fdc:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)低再現(xiàn)性
  15 GB/T 2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度
  16 GB/T 2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)J和導(dǎo)則:長(zhǎng)霉
  17 GB/T 2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ka:鹽霧試驗(yàn)方法
  18 GB/T 2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)--試驗(yàn)Kb:鹽霧,交變（氯化鈉溶液）
  19 GB/T 2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
  20 GB/T 2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
  21 GB/T 2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M:低氣壓試驗(yàn)方法
  22 GB/T 2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)N:溫度變化
  23 GB/T 2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封
  24 GB/T 2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Sa:模擬地面上的太陽(yáng)輻射
  25 GB/T 2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM:低溫／低氣壓綜合試驗(yàn)
  26 GB/T 2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM:高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)
  27 GB/T 2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法
  28 GB/T 2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)T:錫焊試驗(yàn)方法
  29 GB/T 2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度
  30 GB/T 2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
  31 GB/T 2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法
  32 GB/T 2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤(rùn)濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法
  33 GB/T 2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
  34 GB/T 2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AD:溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法
  35 GB/T 2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AFc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法
  36 GB/T 2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法
  37 GB/T 2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)L:砂塵試驗(yàn)方法
  38 GB/T 2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)R:水試驗(yàn)方法
  39 GB/T 2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ee:彈跳試驗(yàn)方法
  40 GB/T 2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
  41 GB/T 2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法
  42 GB/T 2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫/低氣壓/振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法
  43 GB/T 2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊（Ea）、碰撞（Eb）、振動(dòng)（Fc和Fb）和穩(wěn)態(tài)加速度（Ca）等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則
  44 GB/T 2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Eg:撞擊彈簧錘
  45 GB/T 2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Z/ABDM：氣候順序
  46 GB/T 2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ef：撞擊擺錘
  47 GB/T 2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fg:聲振
  48 GB/T 2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ff:振動(dòng)--時(shí)間歷程法
  49 GB/T 2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fe:振動(dòng)--正弦拍頻法
  50 GB/T 2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)
  51 GB/T 2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ke:流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)

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1 GB/T 2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫
  2 GB/T 2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫
  3 GB/T 2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
  4 GB/T 2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db:交變濕熱試驗(yàn)方法
  5 GB/T 2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則:沖擊
  6 GB/T 2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則：碰撞
  7 GB/T 2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒（主要用于設(shè)備型樣品）
  8 GB/T 2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ed:自由跌落
  9 GB/T 2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cb:設(shè)備用恒定濕熱
  10 GB/T 2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則: